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非線性晶體
KD*P 電光Q開關

波前畸變:< λ / 8 @ 633nm

平面度:< λ / 8 @ 633nm

平行度:< 20 arc sec

垂直度:< 5 arc min

表面光潔度:< 10-5(Scratch-Dig)

消光比:>1000:1 

應用光譜范圍:240-1400 mm


  • 產品描述
  • 產品特征
  • 產品曲線

KD*P 插入損耗低,無應力,電光效應性能好,并且轉換效率高,是一種性能優異的電光材料,常應用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。通過采用含氘量大于98%的磷酸二氘鉀晶體縱向效應制成電光Q開關,從檢測指標優異的DKDP毛坯中選取消光比高,均勻性好的晶體區域,制成圓柱狀器件,在側面加電極,用于產生縱向電場,外殼采用封閉式設計,并通過防水實驗。


上一條:鈮酸鋰
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